9月5日，CSEAC2025进入第二天，拓荆科技（A1-09）展台热度持续攀升。今日的技术分享聚焦SACVD工艺与先进键合技术，吸引众多业内专家驻足交流。
在上午的专题报告中，拓荆科技主管工程师刘镇颉以 《SACVD and PESAF application introduction 》 为题，系统介绍了次常压化学气相沉积（SACVD）这一融合APCVD与LPCVD优势的创新工艺。重点分享了该技术在28nm及以上节点介质薄膜沟槽填充中的关键应用，以及拓荆科技推出的全套SACVD与PESAF工艺解决方案，其领先的性能表现满足了多节点制程的客户需求。
下午，拓荆科技3D IC 的工艺经理吴子祺带来报告 《Piotech键合技术新进展》，系统介绍了三维集成关键技术的最新突破，聚焦混合键合、熔融键合及激光解键合等核心工艺。这些成果对构建自主可控的先进封装技术生态具有重要意义，引发在场听众的强烈兴趣。
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